Transistor STP20NM60FD

Quantité	HT	TTC
1 - 1	5.73fr	6.19fr
2 - 2	5.45fr	5.89fr
3 - 4	5.16fr	5.58fr
5 - 9	4.87fr	5.26fr
10 - 19	4.76fr	5.15fr
20 - 29	4.64fr	5.02fr
30 - 43	4.47fr	4.83fr

Quantité	U.P
1 - 1	5.73fr	6.19fr
2 - 2	5.45fr	5.89fr
3 - 4	5.16fr	5.58fr
5 - 9	4.87fr	5.26fr
10 - 19	4.76fr	5.15fr
20 - 29	4.64fr	5.02fr
30 - 43	4.47fr	4.83fr

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Transistor STP20NM60FD. Transistor. C (in): 1300pF. C (out): 500pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60FD. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 192W. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 8 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Fonction: Low Gate Capacitance. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.

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