Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.00fr | 2.16fr |
5 - 9 | 1.90fr | 2.05fr |
10 - 24 | 1.80fr | 1.95fr |
25 - 49 | 1.70fr | 1.84fr |
50 - 99 | 1.66fr | 1.79fr |
100 - 249 | 1.62fr | 1.75fr |
250+ | 1.54fr | 1.66fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.00fr | 2.16fr |
5 - 9 | 1.90fr | 2.05fr |
10 - 24 | 1.80fr | 1.95fr |
25 - 49 | 1.70fr | 1.84fr |
50 - 99 | 1.66fr | 1.79fr |
100 - 249 | 1.62fr | 1.75fr |
250+ | 1.54fr | 1.66fr |
Transistor STP4NB80. Transistor. C (in): 700pF. C (out): 95pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Tension Vds(max): 800V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.
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