Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.69fr | 2.91fr |
5 - 9 | 2.56fr | 2.77fr |
10 - 24 | 2.42fr | 2.62fr |
25 - 49 | 2.29fr | 2.48fr |
50 - 52 | 2.24fr | 2.42fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.69fr | 2.91fr |
5 - 9 | 2.56fr | 2.77fr |
10 - 24 | 2.42fr | 2.62fr |
25 - 49 | 2.29fr | 2.48fr |
50 - 52 | 2.24fr | 2.42fr |
Transistor STP6NK90Z. Transistor. C (in): 1350pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 840 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. Id (T=100°C): 3.65A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P6NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 1.56 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.
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