Transistor STW10NK60Z

Transistor STW10NK60Z. Transistor. C (in): 1370pF. C (out): 156pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: protégé avec diode zéner. Id(imp): 36A. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W10NK60Z. Dissipation de puissance maxi: 156W. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.