Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 4.87fr | 5.26fr |
2 - 2 | 4.63fr | 5.01fr |
3 - 4 | 4.38fr | 4.73fr |
5 - 9 | 4.14fr | 4.48fr |
10 - 19 | 4.04fr | 4.37fr |
20 - 29 | 3.94fr | 4.26fr |
30 - 59 | 3.80fr | 4.11fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 4.87fr | 5.26fr |
2 - 2 | 4.63fr | 5.01fr |
3 - 4 | 4.38fr | 4.73fr |
5 - 9 | 4.14fr | 4.48fr |
10 - 19 | 4.04fr | 4.37fr |
20 - 29 | 3.94fr | 4.26fr |
30 - 59 | 3.80fr | 4.11fr |
Transistor STW11NK90Z. Transistor. C (in): 3000pF. C (out): 240pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 584 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ZenerProtect. Id(imp): 36.8A. Id (T=100°C): 5.8A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W11NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.82 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 76 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMesh PpwerMOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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