Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 6.20fr | 6.70fr |
2 - 2 | 5.89fr | 6.37fr |
3 - 4 | 5.58fr | 6.03fr |
5 - 9 | 5.27fr | 5.70fr |
10 - 19 | 5.14fr | 5.56fr |
20 - 29 | 5.02fr | 5.43fr |
30+ | 4.83fr | 5.22fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 6.20fr | 6.70fr |
2 - 2 | 5.89fr | 6.37fr |
3 - 4 | 5.58fr | 6.03fr |
5 - 9 | 5.27fr | 5.70fr |
10 - 19 | 5.14fr | 5.56fr |
20 - 29 | 5.02fr | 5.43fr |
30+ | 4.83fr | 5.22fr |
Transistor STW18NM80. Transistor. C (in): 1630pF. C (out): 750pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 68A. Id (T=100°C): 10.71A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 100nA. Idss (min): 10nA. Marquage sur le boîtier: 18NM80. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 190W. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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