Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 5.36fr | 5.79fr |
2 - 2 | 5.10fr | 5.51fr |
3 - 4 | 4.83fr | 5.22fr |
5 - 9 | 4.56fr | 4.93fr |
10 - 19 | 4.45fr | 4.81fr |
20 - 29 | 4.35fr | 4.70fr |
30 - 30 | 4.18fr | 4.52fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 5.36fr | 5.79fr |
2 - 2 | 5.10fr | 5.51fr |
3 - 4 | 4.83fr | 5.22fr |
5 - 9 | 4.56fr | 4.93fr |
10 - 19 | 4.45fr | 4.81fr |
20 - 29 | 4.35fr | 4.70fr |
30 - 30 | 4.18fr | 4.52fr |
Transistor STW20NM60. Transistor. C (in): 1450pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 510 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W20NM60. Dissipation de puissance maxi: 214W. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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