Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 4.91fr | 5.31fr |
2 - 2 | 4.66fr | 5.04fr |
3 - 4 | 4.42fr | 4.78fr |
5 - 9 | 4.17fr | 4.51fr |
10 - 19 | 4.07fr | 4.40fr |
20 - 29 | 3.97fr | 4.29fr |
30 - 38 | 3.83fr | 4.14fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 4.91fr | 5.31fr |
2 - 2 | 4.66fr | 5.04fr |
3 - 4 | 4.42fr | 4.78fr |
5 - 9 | 4.17fr | 4.51fr |
10 - 19 | 4.07fr | 4.40fr |
20 - 29 | 3.97fr | 4.29fr |
30 - 38 | 3.83fr | 4.14fr |
Transistor STW28N65M2. Transistor. C (in): 1440pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 384 ns. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 28N65M2. Dissipation de puissance maxi: 170W. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 59 ns. Td(on): 13.4 ns. Technologie: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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