Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 13.86fr | 14.98fr |
2 - 2 | 13.17fr | 14.24fr |
3 - 4 | 12.47fr | 13.48fr |
5 - 9 | 11.78fr | 12.73fr |
10 - 14 | 11.50fr | 12.43fr |
15 - 19 | 11.23fr | 12.14fr |
20+ | 10.81fr | 11.69fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 13.86fr | 14.98fr |
2 - 2 | 13.17fr | 14.24fr |
3 - 4 | 12.47fr | 13.48fr |
5 - 9 | 11.78fr | 12.73fr |
10 - 14 | 11.50fr | 12.43fr |
15 - 19 | 11.23fr | 12.14fr |
20+ | 10.81fr | 11.69fr |
Transistor STW43NM60ND. Transistor. C (in): 4300pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Id(imp): 140A. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 35A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 43NM60ND. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 255W. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 120ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh II. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Faible résistance d'entrée de grille. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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