Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.56fr | 3.85fr |
5 - 9 | 3.38fr | 3.65fr |
10 - 14 | 3.20fr | 3.46fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.56fr | 3.85fr |
5 - 9 | 3.38fr | 3.65fr |
10 - 14 | 3.20fr | 3.46fr |
Transistor STW5NK100Z. Transistor. C (in): 1154pF. C (out): 106pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 605 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: protégé avec diode zéner. Id(imp): 14A. Id (T=100°C): 2.2A. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W5NK100Z. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 2.7 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 51.5 ns. Td(on): 22.5 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 1000V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.