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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor TIP42C

Transistor TIP42C
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Quantité HT TTC
1 - 4 0.72fr 0.78fr
5 - 9 0.68fr 0.74fr
10 - 24 0.65fr 0.70fr
25 - 49 0.61fr 0.66fr
50 - 99 0.60fr 0.65fr
100 - 249 0.58fr 0.63fr
250 - 353 0.66fr 0.71fr
Quantité U.P
1 - 4 0.72fr 0.78fr
5 - 9 0.68fr 0.74fr
10 - 24 0.65fr 0.70fr
25 - 49 0.61fr 0.66fr
50 - 99 0.60fr 0.65fr
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Quantité en stock : 353
Lot de 1

Transistor TIP42C. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 10A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP41C. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -6A. Puissance: 65W. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

Quantité en stock : 1877297
BD244C

BD244C

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme J...
BD244C
Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD244C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 15. Dissipation de puissance maxi: 65W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD243C
BD244C
Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD244C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 15. Dissipation de puissance maxi: 65W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD243C
Lot de 1
0.64fr TTC
(0.59fr HT)
0.64fr
Quantité en stock : 257
BD244CG

BD244CG

Transistor. Boîtier: TO-220. Résistance B: Transistor de puissance. Résistance BE: -100V. C (in):...
BD244CG
Transistor. Boîtier: TO-220. Résistance B: Transistor de puissance. Résistance BE: -100V. C (in): -6A. C (out): 65W. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD243C. Diode BE: non. Diode CE: non
BD244CG
Transistor. Boîtier: TO-220. Résistance B: Transistor de puissance. Résistance BE: -100V. C (in): -6A. C (out): 65W. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD243C. Diode BE: non. Diode CE: non
Lot de 1
1.35fr TTC
(1.25fr HT)
1.35fr

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