Transistor TSM048NB06LCR-RLG

Quantité	HT	TTC
1 - 1	6.39fr	6.91fr
2 - 2	6.07fr	6.56fr
3 - 4	5.75fr	6.22fr
5 - 9	5.43fr	5.87fr
10 - 19	5.31fr	5.74fr
20 - 29	5.18fr	5.60fr
30 - 50	4.99fr	5.39fr

Quantité	U.P
1 - 1	6.39fr	6.91fr
2 - 2	6.07fr	6.56fr
3 - 4	5.75fr	6.22fr
5 - 9	5.43fr	5.87fr
10 - 19	5.31fr	5.74fr
20 - 29	5.18fr	5.60fr
30 - 50	4.99fr	5.39fr

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Transistor TSM048NB06LCR-RLG. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 78 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6253pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.

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