Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.07fr | 1.16fr |
5 - 9 | 1.02fr | 1.10fr |
10 - 24 | 0.96fr | 1.04fr |
25 - 49 | 0.91fr | 0.98fr |
50 - 99 | 0.89fr | 0.96fr |
100 - 249 | 0.87fr | 0.94fr |
250+ | 0.83fr | 0.90fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.07fr | 1.16fr |
5 - 9 | 1.02fr | 1.10fr |
10 - 24 | 0.96fr | 1.04fr |
25 - 49 | 0.91fr | 0.98fr |
50 - 99 | 0.89fr | 0.96fr |
100 - 249 | 0.87fr | 0.94fr |
250+ | 0.83fr | 0.90fr |
Transistor TSM4953DCSRLG. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -4.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 745pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.
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