Transistor VNN1NV04PTR

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.35fr	1.46fr
5 - 9	1.29fr	1.39fr
10 - 24	1.22fr	1.32fr
25 - 49	1.15fr	1.24fr
50 - 99	1.12fr	1.21fr
100 - 249	1.10fr	1.19fr
250 - 913	1.04fr	1.12fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.35fr	1.46fr
5 - 9	1.29fr	1.39fr
10 - 24	1.22fr	1.32fr
25 - 49	1.15fr	1.24fr
50 - 99	1.12fr	1.21fr
100 - 249	1.10fr	1.19fr
250 - 913	1.04fr	1.12fr

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Transistor VNN1NV04PTR. Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id (T=25°C): 1.7A. Idss (maxi): 75uA. Idss (min): 30uA. Dissipation de puissance maxi: 7W. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 45V. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 1NV04P. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 14:25.

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