Transistor VNP10N07

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.19fr	3.45fr
5 - 9	3.03fr	3.28fr
10 - 24	2.88fr	3.11fr
25 - 39	2.73fr	2.95fr

Quantité	U.P
1 - 4	3.19fr	3.45fr
5 - 9	3.03fr	3.28fr
10 - 24	2.88fr	3.11fr
25 - 39	2.73fr	2.95fr

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Transistor VNP10N07. Transistor. C (out): 350pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 125 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mosfet de puissance entièrement autoprotégé. Protection G-S: Diode Zéner. Id(imp): 14A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 50uA. IGF: 50mA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 230 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: OMNIFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 70V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: limitation linéaire du courant. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 14:25.

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