Transistor VNP35N07

Transistor VNP35N07. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): MOSFET. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNP35N07. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 200 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 1000 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 100 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Utilisation: Ilim= 35A IR= -50A. Tension Vds(max): 70V. Tension d'entrée Vin (max): 18V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 14:25.