Transistor VNS3NV04DPTR-E

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.22fr	3.48fr
5 - 9	3.05fr	3.30fr
10 - 24	2.89fr	3.12fr
25 - 49	2.73fr	2.95fr
50 - 90	2.67fr	2.89fr

Quantité	U.P
1 - 4	3.22fr	3.48fr
5 - 9	3.05fr	3.30fr
10 - 24	2.89fr	3.12fr
25 - 49	2.73fr	2.95fr
50 - 90	2.67fr	2.89fr

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Transistor VNS3NV04DPTR-E. Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 107ns. Type de transistor: MOSFET. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 75uA. Idss (min): 30uA. Remarque: sérigraphie/code CMS S3NV04DP. Marquage sur le boîtier: S3NV04DP. Dissipation de puissance maxi: 4W. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 450 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 45V. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 14:25.

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