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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors

Transistor ZTX450

Transistor ZTX450
Quantité HT TTC
1 - 4 0.91fr 0.98fr
5 - 9 0.86fr 0.93fr
10 - 24 0.82fr 0.89fr
25 - 49 0.77fr 0.83fr
50 - 99 0.75fr 0.81fr
100 - 188 0.69fr 0.75fr
Quantité U.P
1 - 4 0.91fr 0.98fr
5 - 9 0.86fr 0.93fr
10 - 24 0.82fr 0.89fr
25 - 49 0.77fr 0.83fr
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Lot de 1

Transistor ZTX450. Transistor. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX550. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 14:25.

Produits équivalents :

Quantité en stock : 2100
BC337-25

BC337-25

Transistor. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 210 M...
BC337-25
Transistor. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 210 MHz. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.8A. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC327-25. Diode BE: non. Diode CE: non
BC337-25
Transistor. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 210 MHz. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.8A. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC327-25. Diode BE: non. Diode CE: non
Lot de 10
0.84fr TTC
(0.78fr HT)
0.84fr
Quantité en stock : 376
BC639-16

BC639-16

Transistor. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silic...
BC639-16
Transistor. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 800mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640-16. Diode BE: non. Diode CE: non
BC639-16
Transistor. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 800mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640-16. Diode BE: non. Diode CE: non
Lot de 1
0.26fr TTC
(0.24fr HT)
0.26fr
Quantité en stock : 9673
BC639

BC639

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDE...
BC639
Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC639. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640
BC639
Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC639. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640
Lot de 1
0.14fr TTC
(0.13fr HT)
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BC33725

BC33725

Transistor. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 M...
BC33725
Transistor. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Courant de collecteur: 0.8A. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC327-25. Diode BE: non. Diode CE: non
BC33725
Transistor. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Courant de collecteur: 0.8A. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC327-25. Diode BE: non. Diode CE: non
Lot de 10
0.81fr TTC
(0.75fr HT)
0.81fr
Quantité en stock : 152
ZTX451

ZTX451

Transistor. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 M...
ZTX451
Transistor. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.35V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX551. Diode BE: non. Diode CE: non
ZTX451
Transistor. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.35V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX551. Diode BE: non. Diode CE: non
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