Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.35fr | 2.54fr |
5 - 9 | 2.23fr | 2.41fr |
10 - 24 | 2.11fr | 2.28fr |
25 - 49 | 2.00fr | 2.16fr |
50 - 99 | 1.95fr | 2.11fr |
100 - 249 | 1.90fr | 2.05fr |
250+ | 1.81fr | 1.96fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.35fr | 2.54fr |
5 - 9 | 2.23fr | 2.41fr |
10 - 24 | 2.11fr | 2.28fr |
25 - 49 | 2.00fr | 2.16fr |
50 - 99 | 1.95fr | 2.11fr |
100 - 249 | 1.90fr | 2.05fr |
250+ | 1.81fr | 1.96fr |
Transistor ZTX649. Transistor. C (out): 50pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 240 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 35V. Tension de saturation VCE(sat): 0.23V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 14:25.
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