Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.45fr | 0.49fr |
10 - 24 | 0.43fr | 0.46fr |
25 - 49 | 0.41fr | 0.44fr |
50 - 99 | 0.38fr | 0.41fr |
100 - 249 | 0.26fr | 0.28fr |
250 - 499 | 0.26fr | 0.28fr |
500 - 1474 | 0.24fr | 0.26fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.45fr | 0.49fr |
10 - 24 | 0.43fr | 0.46fr |
25 - 49 | 0.41fr | 0.44fr |
50 - 99 | 0.38fr | 0.41fr |
100 - 249 | 0.26fr | 0.28fr |
250 - 499 | 0.26fr | 0.28fr |
500 - 1474 | 0.24fr | 0.26fr |
Transistor ZVN3306F. Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: ZVN3306F. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 6 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 35pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 12:25.
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