Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.91fr | 0.98fr |
5 - 9 | 0.87fr | 0.94fr |
10 - 24 | 0.82fr | 0.89fr |
25 - 49 | 0.78fr | 0.84fr |
50 - 99 | 0.76fr | 0.82fr |
100 - 159 | 0.67fr | 0.72fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.91fr | 0.98fr |
5 - 9 | 0.87fr | 0.94fr |
10 - 24 | 0.82fr | 0.89fr |
25 - 49 | 0.78fr | 0.84fr |
50 - 99 | 0.76fr | 0.82fr |
100 - 159 | 0.67fr | 0.72fr |
Transistor ZXMN7A11GTA. Transistor. C (in): 298pF. C (out): 35pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 10A. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 3.8A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 0uA. Dissipation de puissance maxi: 2W. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11.5 ns. Td(on): 1.9 ns. Technologie: 'Enhancement Mode MOSFET'. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 70V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 12:25.
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