Transistors

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 6.5A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PowerMesh. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 1138pF. C (out): 122pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 530 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20.8A. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P7NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Zener-Protected. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P7NK80Z. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1138pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N. Boîtier: TO-220FP. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Id(imp): 20.8A. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P7NK80ZFP. Dissipation de puissance maxi: 30W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Vgs(th) min.: 3.75V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 5.2A. Résistance passante Rds On: 1.8 Ohms. Nombre de connexions: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Tension drain - source (Vds): 800V. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 3850pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 320A. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P80NF06. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 0.0065 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P80NF10. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 40A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 26 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 116 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 4300pF. C (out): 600pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 155 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 320A. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P80NF12. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 134 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 120V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3850pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 0.0065 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Fonction: commande de moteur, amplificateur audio. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2550pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 392A. Id (T=100°C): 68A. Id (T=25°C): 98A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 80NF70. Dissipation de puissance maxi: 190W. Résistance passante Rds On: 0.0098 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 68V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 5500pF. C (out): 1130pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 80A. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 165 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: STripFETTM II Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2350pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 680 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Id(imp): 27A. Id (T=100°C): 4.3A. Id (T=25°C): 6.8A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(on): 30 ns. Technologie: PowerMESH™III MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 700V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 1320pF. C (out): 143pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 24.8A. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 6.2A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P8NK80ZFP. Dissipation de puissance maxi: 30W. Résistance passante Rds On: 1.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 48 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PowerMesh. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 910pF. C (out): 125pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 238 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. Id (T=100°C): 4.5A. Id (T=25°C): 7.2A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK50Z. Dissipation de puissance maxi: 110W. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 910pF. C (out): 125pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 238 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. Id (T=100°C): 4.5A. Id (T=25°C): 7.2A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK50ZFP. Dissipation de puissance maxi: 30W. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 1110pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. Id (T=100°C): 4.4A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1us. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P9NK60Z. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.95 Ohms @ 3.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1100pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1110pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. Id (T=100°C): 4.4A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK60ZFP. Dissipation de puissance maxi: 30W. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 950 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 160W. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 94pF. C (out): 17.6pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 135 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 1.2A. Id (T=100°C): 0.189A. Id (T=25°C): 0.3A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 1NK60ZR. Dissipation de puissance maxi: 3W. Résistance passante Rds On: 13 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 13 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammopak. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: protection Zener, capacité ESD améliorée. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. Fonction: STripFET™ Power MOSFET. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xN-CH 30V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor. Type de canal: N. Fonction: 2xN-CH 60V. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor. Fonction: STripFET™ II Power MOSFET. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xN-CH 20V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: N&P PowerTrench MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 11W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: double transistor à effet de champ. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 4. Remarque: double transistor à effet de champ

Transistor. Type de canal: N-P. Dissipation de puissance maxi: 11W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 4