Transistors

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. C (out): 3pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 250. Courant de collecteur: 0.5A. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 6C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6g. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6g. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. C (in): 11pF. C (out): 2pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 0.1A. Marquage sur le boîtier: 1B. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-236AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: SMD 1B. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SC-70. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Courant de collecteur: 0.1A. Marquage sur le boîtier: 8AC. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 250mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 600mV. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: SMD 8AC. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 1.5pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 110. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 1E. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.09V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Spec info: sérigraphie/code CMS 1E. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS 1F

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1F. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1F. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: DUAL NPN & PNP. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 13. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-363 ( SC-88 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-363. Type de transistor: PNP & NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 6. Spec info: sérigraphie/code CMS 13. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SC-88. Boîtier (norme JEDEC): SOT-363. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 13. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.22W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: paire de transistors NPN et PNP

ROHS: Oui. Boîtier: SC88, SOT363. Fréquence: 100MHz. Montage/installation: SMD. Type de transistor: NPN x2. Polarité: bipolaire. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Puissance: 200mW

Transistor. C (out): 4.5pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 250. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.225W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS 1G. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1g. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS 1K

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1g. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1g. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1Ls. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN