Transistors

Transistor. Quantité par boîtier: 1. FT: 250 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Courant de collecteur: 100mA. Marquage sur le boîtier: 3Ls. Nombre de connexions: 4. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. Type de transistor: PNP & PNP. Vcbo: 30 v. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Fonction: Transistor double silicium PNP. Spec info: sérigraphie/code CMS 3Ls. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 500. Gain hFE mini: 250. Courant de collecteur: 0.1A. Remarque: sérigraphie/code CMS C2. Marquage sur le boîtier: C2. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Type de transistor: PNP. Vcbo: 32V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Vebo: 5V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Courant de collecteur: 0.1A. Remarque: >420. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BCW60RC. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Courant de collecteur: 0.1A. Remarque: >120. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BCW69R. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: T1. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: U1. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: transistor NPN. Applications AF et commutation. Gain hFE maxi: 63. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 0.8A. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: EKs. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...150°C. Vcbo: 125V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 125V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX42. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: transistor PNP. pour applications AF et commutation. Gain hFE maxi: 63. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 0.8A. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: DKs. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...150°C. Vcbo: 125V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 125V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX41. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: DKs. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 125V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF-TR. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Spec info: sérigraphie/code CMS AA

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: AD. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: AM. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 125 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: amplificateurs audio. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 1.5A. Marquage sur le boîtier: AH. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS AH

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: amplificateurs audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 63. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 1.5A. Remarque: sérigraphie/code CMS AK. Marquage sur le boîtier: AK. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX56-16

Transistor. RoHS: oui. Résistance B: oui. Diode BE: transistor PNP. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé (CMS). C (in): SOT-89. C (out): TO-243. Diode CE: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: amplificateurs audio. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 160. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 1.5A. Remarque: sérigraphie/code CMS AL. Marquage sur le boîtier: AL. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX56-16

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: AL. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 125 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: bM. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 1000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: amplificateurs audio et vidéo. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 1.5A. Marquage sur le boîtier: BH. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS BH

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: amplificateurs audio et vidéo. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 63. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 1.5A. Remarque: sérigraphie/code CMS BK. Marquage sur le boîtier: BK. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX53-10

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BL. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN. Remarque: sérigraphie/code CMS BL. Marquage sur le boîtier: BL. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX53-16

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: AK*. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: SMD AK* (AKp, AKt, AKW)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200A. Dissipation de puissance maxi: 0.34W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.75V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V