Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: GE. FT: 8 MHz. Fonction: S-L. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 60. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V

Transistor PNP, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 200 ns. Tf(min): 175 ns. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V

Transistor PNP, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 40. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-39, TO-39, 60V, 600mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-39. Boîtier (norme JEDEC): TO-39. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N2905A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: transistor de commutation, amplificateur. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V

Transistor PNP, 0.6A, 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Remarque: >40. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-18, TO-18, 60V, 600mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 60V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-18. Boîtier (norme JEDEC): TO-18. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N2907A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Famille de composants: transistor PNP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 400mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 30 ns. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: Amplificateur VHF

Transistor PNP, 0.6A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammo-Pack. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Hfe 100. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Ic(puls): 0.8A. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.5A, 25V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF-S. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, TO-92, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammo-Pack. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-92. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor Planaire Si-Epitaxial. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226AA, 40V, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N3906. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39 ( TO-5 ), 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39 ( TO-5 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 20pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150...500 MHz. Fonction: S. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 100 ns. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, TO-92, 0.6A, TO-92Ammo Pack, 40V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammo Pack. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): 30pF. C (out): 8.5pF. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 30 ns. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.75V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (in): 30pF. C (out): 8.5pF. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 30. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 30 ns. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, -50V, -50mA, TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: -50V. Courant de collecteur: -50mA. Boîtier: TO-92. Type de transistor: transistor PNP. Polarité: PNP. Fréquence maxi: 40 MHz. Applications: Audio

Transistor PNP, 50mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 4pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 250. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 3V. Fonction: pré-amplificateur. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N5401. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401

Transistor PNP, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 200V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. C (in): 75pF. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 30. Nombre de connexions: 3. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 4 v. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (in): 75pF. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse et amplificateur linéaire. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 30. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 50A. Nombre de connexions: 2. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N5886

Transistor PNP, 7A, 60V. Courant de collecteur: 7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Remarque: hFE 20. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Spec info: TO-220AB

Transistor PNP, 2A, 225V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 225V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Dissipation de puissance maxi: 35W. Type de transistor: PNP. Vcbo: 275V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-3, TO-204AA, 100V, 20A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N6287G. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor PNP, 4A, TO-66, TO-66, 120V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-66. Boîtier (selon fiche technique): TO-66. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5 MHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 15. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 130V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5 MHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6488