Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 1.4A, 2.7A, 2.7A, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. Id (T=100°C): 1.4A. Id (T=25°C): 2.7A. Idss (maxi): 2.7A. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: MOS-N-FET. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Transistor canal N, 20mA, TO-92, TO-92. Id (T=25°C): 20mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Fonction: amplificateur VHF/RF. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Epitaxial. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor canal N, 9mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (maxi): 9mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 25V. C (in): 4.5pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Fonction: Uni sym. Idss (min): 2mA. IGF: 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor JFET pour usage général. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 3.5V. Tension grille/source VGS (off) max.: 7V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor canal N, 16mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (maxi): 16mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 25V. C (in): 2250pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 53 ns. Type de transistor: FET. Fonction: Uni sym. Idss (min): 4mA. IGF: 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 4mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor JFET pour usage général. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 4.5V. Tension grille/source VGS (off) max.: 8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor canal N, 5mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (maxi): 5mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 25V. C (in): 5pF. C (out): 2pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Idss (min): 1mA. IGF: 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: J-FET. Vgs(th) min.: 3V. Fonction: amplificateur VHF/UHF, RF

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-46, 20V, 10mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-46. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N6550. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -3V @ +10V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C

Transistor canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. Id (T=25°C): 0.2A. Idss (maxi): 1000uA. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): O-92Ammo-Pack. Tension Vds(max): 60V. C (in): 60pF. C (out): 25pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 2n7000. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Poids: 0.18g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. Id (T=25°C): 0.2A. Idss (maxi): 1000uA. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 60V. C (in): 60pF. C (out): 25pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 2n7000. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Poids: 0.18g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 0.075A, 0.115A, 500uA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Id (T=100°C): 0.075A. Id (T=25°C): 0.115A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 7.5 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 60V. RoHS: oui. C (in): 50pF. C (out): 25pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET à petits signaux. Id(imp): 0.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 702. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: 702. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 60V, 0.210A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.210A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: K72. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 2.8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 7.6 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.37W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 0.14A, 0.23A, 500uA, 3.2 Ohms, SOT-363 ( SC-88 ), 60V. Id (T=100°C): 0.14A. Id (T=25°C): 0.23A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 3.2 Ohms. Boîtier: SOT-363 ( SC-88 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 22pF. C (out): 11pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 2. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 0.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: K72. Nombre de connexions: 6. Dissipation de puissance maxi: 400mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: 'Enhancement Mode MOSFET'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: contrôle moteur, gestion de l'alimentation. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 60V, 0.115A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.115A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 72. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 30A, TO-220FP, TO-220D-A1, 300V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220D-A1. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (in): 580pF. C (out): 86pF. Type de canal: N. Fonction: Pilote d'écran plasma. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 120ns. Td(on): 87 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: High speed hall time--tf=200nS(typ). Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 40A, TO-220FP, TO-220D-A1, 540V. Ic(T=100°C): 40A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220D-A1. Tension collecteur/émetteur Vceo: 540V. C (in): 1200pF. C (out): 125pF. Type de canal: N. Fonction: VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 230A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 75 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.95V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: High-speed switching--tf=185ns (typ). Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 20mA, 2.5mA, 2.5mA, TO-92, TO-92, 30 v. Id (T=25°C): 20mA. Idss: 2.5mA. Idss (maxi): 2.5mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Idss (min): 2.5mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Fonction: amplification HF

Transistor canal N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1400pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 8.5 ns. Td(on): 4 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1400pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 85 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Low Leakage Current Low Drain Source ON resistance. Protection G-S: non

Transistor canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 1000V, 8A, 300uA, 1.5 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 1000V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Silicon N Channel Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 3.5V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. C (in): 1300pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Marquage sur le boîtier: K1120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Spec info: Convertisseur DC-DC et application d'entraînement de moteur. Poids: 4.6g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non

Transistor canal N, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2800pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 80A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 30A, 30A, 0.08 Ohms, 60V. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 30A. Résistance passante Rds On: 0.08 Ohms. Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 40W

Transistor canal N, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1400pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 85 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: V-MOS-L. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF, 900V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension Vds(max): 900V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C (in): 1400pF. C (out): 200pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Low Driving Power High Speed Switching. Id(imp): 23A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 300 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 500V, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: K1246. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.4 Ohms @ 2.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 180 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-3PN 13-16A1A. Tension Vds(max): 1400V. C (in): 1800pF. C (out): 500pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation haute tension. Id(imp): 10A. Dissipation de puissance maxi: 240W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 3.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1.5V. Protection drain-source: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 15A, 30A, 30A, 0.028 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 30A. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS. Spec info: Compatible avec le niveau logique