Transistors FET et MOSFET canal P

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-92, -20V, JFET, TO-92, 20V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Boîtier (norme JEDEC): JFET. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 20V. RoHS: non. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N3820. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: -15mA. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: +8V @ -10V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Famille de composants: Transistor JFET à canal P. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 8V

Transistor canal P, 6mA, 6mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18. Id (T=25°C): 6mA. Idss (maxi): 6mA. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Quantité par boîtier: 1. Fonction: P-FET S. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-3P, -160V, -8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3P. Tension drain-source Uds [V]: -160V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J119. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1050pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 200V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 200V. C (in): 800pF. C (out): 270pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id(imp): 20A. Nombre de connexions: 3. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS (F). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: oui

Transistor canal P, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 250V. C (in): 1040pF. C (out): 360pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SWITCHING, POWER MOS FET. Id(imp): 24A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 47 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: P-CHANNEL POWER MOS FET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 4 v. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal P, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 250V. C (in): 800pF. C (out): 250pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 205 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Enhancement Mode Low Drain-Source On Resistance'. Id(imp): 20A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: Silicon P Chanel Mos Fet. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Protection G-S: oui

Transistor canal P, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 250V. C (in): 450pF. C (out): 120pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(imp): 18A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 52 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: transistor MOSFET au silicium. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Protection G-S: oui

Transistor canal P, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 720pF. C (out): 150pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: diode de protection intégrée. Id(imp): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 23W. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Technologie: Transistor à effet de champ MOS à canal P. Protection G-S: oui

Transistor canal P, 500mA, 500mA, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=25°C): 500mA. Idss (maxi): 500mA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 120pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: transistor complémentaire (paire) 2SK216. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension grille/source Vgs: 15V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal P, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUDIO POWER MOSFET. Idss (min): 10mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Tension grille/source Vgs: 14V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ALF08N20V. Protection G-S: non

Transistor canal P, 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 933pF. C (out): 108pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 21 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: faible charge d'entrée. Id(imp): 25A. Id (T=100°C): 3.8A. Idss (min): 1uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 42 ns. Td(on): 5.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 1.3V. Vgs(th) min.: 0.6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Spec info: Tension de grille de fonctionnement aussi basse que 2.5V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal P, 9.2A, 50uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 50uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2060pF. C (out): 370pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 7.4A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.7W. Résistance passante Rds On: 0.0085 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 24 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 4407A. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal P, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 12.5A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2330pF. C (out): 480pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: FET. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 10.5A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3W. Résistance passante Rds On: 0.0094 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 49.5 ns. Td(on): 12.8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor canal P, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Type de canal: N-P. Fonction: 0.032R&0.048R (32 & 48m Ohms). Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 2. Technologie: MOS-N&P-FET, Complementary ESD rating--3000V (HBM)

Transistor canal P, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4360pF. C (out): 1050pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 39.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. Id (T=100°C): 65A. Idss (min): 0.01uA. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 5.1M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 51 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Protection G-S: non

Transistor canal P, 18A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 920pF. C (out): 190pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 21.4 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 18A. Idss (min): 0.003uA. Marquage sur le boîtier: D405. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 24.5m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Spec info: transistor complémentaire (paire) AOD408. Protection G-S: non

Transistor canal P, 26A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 26A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 2977pF. C (out): 241pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 18A. Idss (min): 0.003uA. Marquage sur le boîtier: D409. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 32m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 38 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), DFN8, -30V, -36A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: DFN8. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -36A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: 7401. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.017 Ohms @ -7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 24 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2060pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 24A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 35V. Id (T=25°C): 24A. Idss (maxi): 25uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 35V. C (in): 990pF. C (out): 220pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 25 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 15A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31.25W. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Power MOSFET'. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: commutation rapide, convertisseur DC/DC. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Protection G-S: non

Transistor canal P, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1440pF. C (out): 160pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 43 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 11A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 36W. Résistance passante Rds On: 0.064 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Power MOSFET'. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal P, 10A, 250uA, TO-220, 60V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 60V. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 16A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Power MOSFET'. Tension grille/source Vgs: 25V. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Protection G-S: non

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -45V, -0.09A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MX. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 9 Ohms @ -0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 25pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 0.23A, 500nA, TO-92, TO-92, 45V. Id (T=25°C): 0.23A. Idss (maxi): 500nA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 45V. C (in): 60pF. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 3A. Idss (min): -0.23A. Dissipation de puissance maxi: 0.7W. Résistance passante Rds On: 14 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, -60V, -1.9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP171P. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ -1.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 276 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 460pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, -30V, -3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP250.115. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 80 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 140 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 250pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C