Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.36fr | 0.39fr |
10 - 24 | 0.34fr | 0.37fr |
25 - 49 | 0.33fr | 0.36fr |
50 - 99 | 0.32fr | 0.35fr |
100 - 249 | 0.29fr | 0.31fr |
250 - 499 | 0.28fr | 0.30fr |
500 - 886 | 0.27fr | 0.29fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.36fr | 0.39fr |
10 - 24 | 0.34fr | 0.37fr |
25 - 49 | 0.33fr | 0.36fr |
50 - 99 | 0.32fr | 0.35fr |
100 - 249 | 0.29fr | 0.31fr |
250 - 499 | 0.28fr | 0.30fr |
500 - 886 | 0.27fr | 0.29fr |
Diode, 10A, 400A, R-6, R-6 ( 8.9x8.8mm ), 1000V - 10A10. Diode, 10A, 400A, R-6, R-6 ( 8.9x8.8mm ), 1000V. IF(AV): 10A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8.9x8.8mm ). VRRM: 1000V. Cj: 120pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 100uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 28.7k Ohms. Equivalences: P1000M, 10A07-TP. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Produit d'origine constructeur Lge Technology. Quantité en stock actualisée le 03/07/2025, 19:25.
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