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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Diodes Diodes standard et de redressement

Diode, 10A, 400A, R-6, R-6 ( 8.9x8.8mm ), 1000V - 10A10

Diode, 10A, 400A, R-6, R-6 ( 8.9x8.8mm ), 1000V - 10A10
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Quantité HT TTC
1 - 9 0.36fr 0.39fr
10 - 24 0.34fr 0.37fr
25 - 49 0.32fr 0.35fr
50 - 99 0.30fr 0.32fr
100 - 249 0.27fr 0.29fr
250 - 499 0.27fr 0.29fr
500 - 962 0.25fr 0.27fr
Quantité U.P
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Diode, 10A, 400A, R-6, R-6 ( 8.9x8.8mm ), 1000V - 10A10. Diode, 10A, 400A, R-6, R-6 ( 8.9x8.8mm ), 1000V. IF(AV): 10A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8.9x8.8mm ). VRRM: 1000V. Cj: 120pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 100uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 28.7k Ohms. Equivalences: P1000M, 10A07-TP. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.

Produits équivalents :

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P1000M

P1000M

Diode, 10A, 400A, R-6, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V. IF(AV): 10A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (sel...
P1000M
Diode, 10A, 400A, R-6, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V. IF(AV): 10A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 70pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: P1000M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS
P1000M
Diode, 10A, 400A, R-6, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V. IF(AV): 10A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 70pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: P1000M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS
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