Diode P1000M

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.83fr	0.90fr
5 - 9	0.79fr	0.85fr
10 - 24	0.64fr	0.69fr
25 - 49	0.60fr	0.65fr
50 - 99	0.52fr	0.56fr
100 - 249	0.51fr	0.55fr
250 - 884	0.45fr	0.49fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.83fr	0.90fr
5 - 9	0.79fr	0.85fr
10 - 24	0.64fr	0.69fr
25 - 49	0.60fr	0.65fr
50 - 99	0.52fr	0.56fr
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Diode P1000M. Diode. Cj: 70pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 10A. IFSM: 400A. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: P1000M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 23:25.

Documentation technique

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10A10

Diode. Cj: 120pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min....

Lot de 1

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(0.36fr HT)

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