Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.35fr | 0.38fr |
5 - 9 | 0.33fr | 0.36fr |
10 - 24 | 0.32fr | 0.35fr |
25 - 49 | 0.30fr | 0.32fr |
50 - 99 | 0.16fr | 0.17fr |
100 - 149 | 0.15fr | 0.16fr |
150 - 2560 | 0.14fr | 0.15fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.35fr | 0.38fr |
5 - 9 | 0.33fr | 0.36fr |
10 - 24 | 0.32fr | 0.35fr |
25 - 49 | 0.30fr | 0.32fr |
50 - 99 | 0.16fr | 0.17fr |
100 - 149 | 0.15fr | 0.16fr |
150 - 2560 | 0.14fr | 0.15fr |
Diode, 200mA, 500mA, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 75V - 1N4148. Diode, 200mA, 500mA, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 75V. IF(AV): 200mA. IFSM: 500mA. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 75V. Cj: 4pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes haute vitesse. Autre nom: IN4148. IRM (max): 50uA. IRM (min): 25nA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Quantité en stock actualisée le 19/04/2025, 00:25.
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