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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode 1N4448

Diode 1N4448
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Diode 1N4448. Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-35. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 0.3A. Ifsm [A]: 2A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..5uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 0.7V @ 5mA. Boîtier (norme JEDEC): 0.45A. Tension de seuil Vf (max): 1V. VRRM: 100V. Quantité en stock actualisée le 19/04/2025, 13:25.

Documentation technique

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