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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors

Transistor 2N6488

Transistor 2N6488
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Quantité HT TTC
1 - 4 1.48fr 1.60fr
5 - 9 1.41fr 1.52fr
10 - 24 1.33fr 1.44fr
25 - 49 1.26fr 1.36fr
50 - 76 1.23fr 1.33fr
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Transistor 2N6488. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5 MHz. Fonction: Applications d'amplification et de commutation. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 15A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+165°C. Vcbo: 90V. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6491. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 16:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

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BD911

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Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Puissance Linéaire et Commutation. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Résistance B: transistor de puissance NPN. Résistance BE: 100V. C (in): 15A. C (out): 90W. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD912. Diode BE: non. Diode CE: non
BD911
Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Puissance Linéaire et Commutation. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Résistance B: transistor de puissance NPN. Résistance BE: 100V. C (in): 15A. C (out): 90W. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD912. Diode BE: non. Diode CE: non
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(0.77fr HT)
0.83fr
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2N6488-HTC

2N6488-HTC

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5 MHz. Courant de co...
2N6488-HTC
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5 MHz. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 90V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6491
2N6488-HTC
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5 MHz. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 90V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6491
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1.31fr TTC
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