Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: 0.3us

Transistor NPN, 500mA, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 50V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 25pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70MHz. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 800mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.3V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-39, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-39. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Boîtier (norme JEDEC): TO-39. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N1893. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 70 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, 0.8A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): 25pF. C (out): 8pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-18, 600mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 40V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-18. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N2222A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Famille de composants: transistor NPN. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Tf(max): 60 ns. Tf(min): 60 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -60...+200°C. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2N2907A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-18, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-18. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N2222A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92 ( BULK Pack ), 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( BULK Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: Transistor amplificateur. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Marquage sur le boîtier: 2N2222A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 25 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 40V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Résistance B: oui. Diode BE: transistor NPN. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-18. C (out): TO-18. Diode CE: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 500 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 0.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -60...+200°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-39, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-39. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-39. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N3019. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Famille de composants: transistor NPN. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 60V, 15A, TO-3. Tension collecteur-émetteur VCEO: 60V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 115W

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.5 MHz. Fonction: Amplificateur audio linéaire et commutation. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 2. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 115W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'epitaxial-base planar technology'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ2955. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.5 MHz. Fonction: Amplificateur audio linéaire et commutation. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 2. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 115W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'epitaxial-base planar technology'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ2955. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.5 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 115W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ2955. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N3055G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2.5 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 115W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 350V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: S/VID. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 30. Nombre de connexions: 3. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial planar NPN transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 450V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 250V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: S/VID. Date de production: 2014/06. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 40. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.8 MHz. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 117W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.8 MHz. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 117W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 40V. Courant de collecteur: 30A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.2 MHz. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: non. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N3772. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200kHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.2 MHz. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 140V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.2 MHz. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 4 v. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 16A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N3773G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 140V. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN