Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (in): 8pF. C (out): 4pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Die Construction'. Tf(max): 75 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Diode BE: non. Diode CE: non. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé

Transistor NPN, TO-92, 200mA, 40V, 0.2A. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Tension collecteur-émetteur VCEO: 40V. Courant de collecteur: 0.2A. Marquage du fabricant: 2N3904. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Puissance: 0.625W. Fréquence maxi: 300MHz. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (in): 30pF. C (out): 6.5pF. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 0.9A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 30 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. C (in): 10pF. C (out): 4pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Gain hFE maxi: 900. Gain hFE mini: 300. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 35V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Fonction: pré-amplificateur HI-FI à faible bruit. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V. Courant de collecteur: 0.4A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1.2GHz. Gain hFE maxi: 210. Gain hFE mini: 70. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 4pF. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 200. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 4.5V. Fonction: pré-amplificateur HI-FI à faible bruit. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, TO-92, 0.6A, TO-92, 160V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-92. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 80. Ic(puls): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 600mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5551. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 500pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 50A. Nombre de connexions: 2. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N5884. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 25mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N5886G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor NPN, 12A, 100V. Courant de collecteur: 12A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE mini: 750. Remarque: b>750. Dissipation de puissance maxi: 150W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, M135, 36V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): M135. Tension collecteur/émetteur Vceo: 36V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 175 MHz. Fonction: VHF-O Tr. Dissipation de puissance maxi: 12W. Type de transistor: NPN. Spec info: SD1012. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Résistance BE: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). C (out): 400pF. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: hFE 750...180000. Gain hFE maxi: 18000. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 40A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Poids: 11.8g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6287. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5 MHz. Fonction: Applications d'amplification et de commutation. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+165°C. Vcbo: 90V. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6491. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 90V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 90V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5 MHz. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6491

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 15mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N6488G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 5 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.075W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 20. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor au silicium épitaxial NPN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6520. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.6A, 50V. Courant de collecteur: 0.6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-202, 3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-202. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 70V/45V. Dissipation maximale Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, 0.1A, 210V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 210V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 7.9W. Type de transistor: NPN. Spec info: 8-726-720-00

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 700mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 700mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 300mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 300mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V/40V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 300mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 300mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V/60V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D35/B, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D35/B. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 0.5A, 50V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Remarque: hFE 100..200. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA673A