Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 3pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Fonction: hFE 25...40. Quantité par boîtier: 1. Spec info: One Watt High Voltage Transistor. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 6pF. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 150000. Gain hFE mini: 25000. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vebo: 12V. Fonction: High hFE. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 28V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 28V. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Applications: RF-POWER

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: transistor avec réseau de résistance de polarisation. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: 8B. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 338mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Transistors numériques (BRT). Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Nombre de connexions: 3. Remarque: Panasonic NV-SD450. Remarque: B1GBCFLL0035. Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS 8B. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN. C (in): 9pF. C (out): 3.5pF. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Date de production: 201452 201512. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW1302. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 15A, 60V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.5 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Remarque: hFE 20...70. Remarque: transistor complémentaire (paire) NTE219. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 115W. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.3V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN. C (out): 135pF. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 8A, SOT-199, SOT-199, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Conçu pour Grundig. Dissipation de puissance maxi: 34W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 600mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P2N2222A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, 6.2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 6.2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 35pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Gain hFE maxi: 500. Gain hFE mini: 75. Ic(puls): 15A. Remarque: transistor complémentaire (paire) PBSS4041PX. Marquage sur le boîtier: 6F. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 220 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 35mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 320mV. Vebo: 5V. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Spec info: sérigraphie/code CMS 6F. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Transistor avec résistance de polarisation intégrée. Gain hFE mini: 80. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: *08. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 10V. Spec info: sérigraphie/code CMS P08/T08

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor de commutation NPN. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 15V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 130.41594. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 500 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 15V. Spec info: sérigraphie/code CMS P1J, T1J. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 0.8A. Marquage sur le boîtier: p2X, t2X, W2X. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.75V. Vebo: 6V. Spec info: sérigraphie/code CMS P2X, T2X, W2X, transistor complémentaire (paire) PMBT4401. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. C (out): 19pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Amplificateur à usage général. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Spec info: hFE 80...450. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Amplificateur à usage général. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Spec info: hFE 240...600. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 75pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: Amplificateur à usage général. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-363, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-363. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Marquage du fabricant: D*2. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: paire de transistors NPN et PNP

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 100pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: DTR.. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS XJ

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, ITO-218, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-218. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: S2000N. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1.5 kV. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1500V, 8A, TO-247-T. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1500V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-247-T. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Applications: commutation. Puissance: 50W. Diode intégrée: oui

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247F, 1500V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. C (out): 9pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 15A, 160V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. C (out): 35pF. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/L, HI-FI Audio. Remarque: hFE 5000...20000. Dissipation de puissance maxi: 150W. Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) SAP15P. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 15A, 160V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. C (out): 35pF. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/L, HI-FI Audio. Remarque: hFE 5000...20000. Dissipation de puissance maxi: 150W. Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) SAP15P. Diode BE: non. Diode CE: non