Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Résistance BE: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 50. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(min): 2us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, 400V, 8A, TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Puissance: 100W

Transistor NPN, 1.5A, 60V. Courant de collecteur: 1.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 1000pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: NPN. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-225, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE800G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-225, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: non. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE803. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor NPN, 1000V, 5A, TO-220-F. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1000V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220-F. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Applications: commutation. Puissance: 35W. Fréquence maxi: 13MHz

Transistor NPN, 8A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. C (out): 80pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: (F). Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Résistance BE: 50. C (out): 156pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 13 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 18. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tension de saturation VCE(sat): 0.83V. Vebo: 10V. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, 15A, 650V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. C (out): 2.3pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: NF-L, TO-264. Dissipation de puissance maxi: 170W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: TO-3PBL. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO–3PBL. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL21193. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 250V, 16A, TO-264. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-264. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Fonction: Amplificateur de puissance HIFI. Puissance: 200W

Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL21195. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 260V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Transistor de puissance bipolaire complémentaire. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL1302A. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Diode BE: non. Diode CE: non. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 35 MHz. Fonction: puissance audio, faible distorsion harmonique. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL4302A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon Power Bipolar Transistor. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-247, TO-247, 400V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Excellente linéarité de gain. Gain hFE maxi: 80. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJW21195. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. C (out): 2.8pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Transistor de puissance bipolaire complémentaire. Date de production: 201444 201513. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Technologie: transistor bipolaire de puissance. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJW1302A. Diode BE: non. Diode CE: non

NPN-RF 6V 0.005A 1.4GHz NF:4.5dB SOT-23 ˝7H

ROHS: Oui. Boîtier: SOT23. Fréquence: 250MHz. Montage/installation: SMD. Type de transistor: NPN. Polarité: bipolaire. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Courant de collecteur Ic [A]: 0.6A. Gain hfe: 35...300. Puissance: 0.25W

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 75V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. C (out): 5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: UNI. Gain hFE mini: 100. Marquage sur le boîtier: 1 P. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Spec info: SMD 1P. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 600mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1P. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1S. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 1.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1.2A. Marquage sur le boîtier: 2F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1AM. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé (CMS). C (in): SOT-23. C (out): 1.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: UNI. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Marquage sur le boîtier: 1AM. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Spec info: SMD 1AM. Diode BE: non. Diode CE: non

ROHS: Oui. Boîtier: SOT23