Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 15A, 60V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.5 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Remarque: hFE 20...70. Remarque: transistor complémentaire (paire) NTE219. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 115W. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.3V. Vebo: 7V

Transistor NPN. Diode BE: non. C (out): 135pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 8A, SOT-199, SOT-199, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Conçu pour Grundig. Dissipation de puissance maxi: 34W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 600mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P2N2222A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 6.2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 6.2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 35pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 500. Gain hFE mini: 75. Ic(puls): 15A. Remarque: transistor complémentaire (paire) PBSS4041PX. Marquage sur le boîtier: 6F. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Spec info: sérigraphie/code CMS 6F. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 220 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 35mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 320mV. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Transistor avec résistance de polarisation intégrée. Gain hFE mini: 80. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: *08. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS P08/T08. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor de commutation NPN. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Spec info: 130.41594. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 15V

Transistor NPN, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 500 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Spec info: sérigraphie/code CMS P1J, T1J. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 15V

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 0.8A. Marquage sur le boîtier: p2X, t2X, W2X. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Spec info: sérigraphie/code CMS P2X, T2X, W2X, transistor complémentaire (paire) PMBT4401. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.75V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. Diode BE: non. C (out): 19pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Amplificateur à usage général. Spec info: hFE 80...450. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Amplificateur à usage général. Spec info: hFE 240...600. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. C (out): 75pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: Amplificateur à usage général. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-363, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-363. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: paire de transistors NPN et PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Marquage du fabricant: D*2. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 100pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: DTR.. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Spec info: sérigraphie/code CMS XJ. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, ITO-218, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-218. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: S2000N. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1.5 kV. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1500V, 8A, TO-247-T. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1500V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-247-T. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Applications: commutation. Puissance: 50W. Diode intégrée: oui

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247F, 1500V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Diode BE: non. C (out): 9pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, 160V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. C (out): 35pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/L, HI-FI Audio. Remarque: hFE 5000...20000. Dissipation de puissance maxi: 150W. Spec info: transistor complémentaire (paire) SAP15P. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, 160V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. C (out): 35pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/L, HI-FI Audio. Remarque: hFE 5000...20000. Dissipation de puissance maxi: 150W. Spec info: transistor complémentaire (paire) SAP15P. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, 400V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 8pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 125W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, SOT23, 4.87k Ohms. Boîtier: SOT23. Tension collecteur-émetteur VCEO: 4.87k Ohms. Type: transistor pour applications basse puissance. Polarité: NPN. Puissance: 0.36W. Tension base / collecteur VCBO: 4.87k Ohms. Type de montage: SMD. Bande passante MHz: 50MHz. Gain hFE min.: 25. Courant maximum 1: 0.5A. Série: SMBTA

Boîtier: SOT23. Fréquence: 100MHz. Montage/installation: SMD. Type de transistor: NPN. Polarité: bipolaire. Tension (collecteur - émetteur): 25V. Courant de collecteur Ic [A]: 1.5A. Gain hfe: 200...350. Puissance: 300mW

Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92 (Ammo-Pack), 25V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 (Ammo-Pack). Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Diode BE: non. C (out): 9pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: S8050 C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Diode BE: non. C (out): 28pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Fonctionnement push-pull de classe B. Gain hFE maxi: 135. Gain hFE mini: 96. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Spec info: excellente linéarité hFE. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.16V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 270 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.45W. Type de transistor: NPN