Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 80pF. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 0.9A. Marquage sur le boîtier: 2x. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 30 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V. Spec info: sérigraphie/code CMS 2X. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 150V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2L. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP. Marquage sur le boîtier: 2 L. Equivalences: MMBT5401LT1G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS (2Lx Date Code)

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: G1. Equivalences: MMBT5551LT1G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V. Spec info: sérigraphie/code CMS G1 (3S Fairchild). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 600mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G1. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1GM. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1GM. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: transistor amplificateur haute tension (version CMS du transistor MPSA42). Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Remarque: 1D. Marquage sur le boîtier: 1D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 240mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MMBTA92. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1D. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 5mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5mA. RoHS: non. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3EM. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 650 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. C (out): 9pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 350. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: Y1. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

ROHS: Oui. Boîtier: SOT23. Montage/installation: SMD. Type de transistor: BRT. Polarité: bipolaire. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Courant de collecteur Ic [A]: 0.1A. Gain hfe: 35...60. Puissance: 0.246W. Résistance base: 10k Ohms. Résistance base-émetteur: 10k Ohms

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: A8A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. Diode BE: VAN, Résistance BE: 42 Ohms, Diode CE: VAN, Quantité par boîtier: 1 db, Montage/installation: composant monté en surface (CMS), Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ), Boîtier (selon fiche technique): SOT-23

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: A8E. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: A8K. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.246W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: paire de transistors complémentaires. Gain hFE mini: 5000. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP & NPN. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MPSA42. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Résistance BE: 10. C (out): 300pF. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100MHz. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 4 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MPSA06. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, 0.5A, 30 v. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 10000. Gain hFE mini: 5000. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Technologie: transistor Darlington. Tf(min): 125 MHz. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 125 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 10000. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor Darlington. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Nombre de connexions: 3. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 45V, 0.2A, TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Fréquence maxi: 100 MHz. Gain hFE min.: 1000. Applications: Audio

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 (ammo pak). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 3pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Equivalences: KSP42. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 500mV. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) MPSA92. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.3A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 400V. Courant de collecteur: 0.3A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 (ammo pak). Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 7pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 40. Equivalences: KSP44, CMPSA44. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tension de saturation VCE(sat): 400mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 750mV. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 5mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5mA. RoHS: non. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MPSH10. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 650 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN