Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): DPAK CASE 369C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 45pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 85 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: 44H11G. Equivalences: MJD44H11G, MJD44H11J. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tf (type): 140 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJD45H11T4G. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): DPAK CASE 369C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 45pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 85 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: 45H11G. Equivalences: MJD45H11G, MJD45H11J. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tf (type): 140 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJD45H11T4G. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 3pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 80pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance bipolaire. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. Spec info: Commutation à haute vitesse. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 3pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance bipolaire. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. Spec info: Commutation à haute vitesse. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 8A, 400V, 8A, TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220AB. Marquage du fabricant: MJE13007G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Puissance: 80W. Fréquence maxi: 14 MHz. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 8A, TO-220, 150V, TO-220AB, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 150V. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031G

Transistor NPN, 250V, 8A, TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz

Transistor NPN, TO-220, 8A, 250V, 8A, TO-220AB, 250V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Marquage du fabricant: MJE15032G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 30 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15033

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. C (out): 2.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15035G. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220AB, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. C (out): 2.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 13 MHz. Fonction: Applications d'alimentation à découpage. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 12. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 400us. Tf(min): 70us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE18004G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 13 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor NPN, 6A, 450V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MHz. Fonction: SMPS. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Spec info: SWITCHMODE. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. C (in): 1750pF. C (out): 100pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 13MHz. Fonction: Applications d'alimentation à découpage. Gain hFE maxi: 14. Gain hFE mini: 34. Ic(puls): 16A. Dissipation de puissance maxi: 120W. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 1000V, 8A, TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1000V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Applications: commutation. Puissance: 120W

Transistor NPN, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). C (out): 80pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65MHz. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 45. Dissipation de puissance maxi: 15W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE210. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Résistance B: transistor de puissance NPN. Résistance BE: 100V. C (in): 4A. C (out): 15W. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Fonction: Commutation à grande vitesse. Audio. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE253. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE3055T. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE2955T

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: pour amplificateurs audio Hi-fi et régulateurs à découpage. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE2955T. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, SOT-32, 500mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOT-32. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-126. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE340. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 240. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE350

Transistor NPN, 0.5A, TO-126 ( TO-225 ), 500V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126 ( TO-225 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). C (out): 30pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L, VID.. Equivalences: KSE340. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE350. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 30pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Remarque: boîtier plastique. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE350. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-225, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE340G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C