Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.24fr | 0.26fr |
10 - 24 | 0.23fr | 0.25fr |
25 - 49 | 0.23fr | 0.25fr |
50 - 99 | 0.22fr | 0.24fr |
100 - 249 | 0.11fr | 0.12fr |
250 - 499 | 0.11fr | 0.12fr |
500 - 8835 | 0.10fr | 0.11fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.24fr | 0.26fr |
10 - 24 | 0.23fr | 0.25fr |
25 - 49 | 0.23fr | 0.25fr |
50 - 99 | 0.22fr | 0.24fr |
100 - 249 | 0.11fr | 0.12fr |
250 - 499 | 0.11fr | 0.12fr |
500 - 8835 | 0.10fr | 0.11fr |
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 600mA - MMBT5551LT1G. Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 600mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G1. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Onsemi. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.
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