Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 1.38fr | 1.49fr |
2 - 2 | 1.31fr | 1.42fr |
3 - 4 | 1.24fr | 1.34fr |
5 - 9 | 1.21fr | 1.31fr |
10 - 24 | 0.49fr | 0.53fr |
25 - 49 | 0.47fr | 0.51fr |
50 - 768 | 0.45fr | 0.49fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 1.38fr | 1.49fr |
2 - 2 | 1.31fr | 1.42fr |
3 - 4 | 1.24fr | 1.34fr |
5 - 9 | 1.21fr | 1.31fr |
10 - 24 | 0.49fr | 0.53fr |
25 - 49 | 0.47fr | 0.51fr |
50 - 768 | 0.45fr | 0.49fr |
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100mA - MMUN2215LT1G. Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: A8E. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Onsemi. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.
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