Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 0.03A, 35V. Courant de collecteur: 0.03A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: FM-V/M/O/IF. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: NPN. Spec info: 12149301860. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.03A, 35V. Courant de collecteur: 0.03A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: FM-V/M/O/IF. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: NPN. Spec info: 62137301900

Transistor NPN, 0.05A, 30 v. Courant de collecteur: 0.05A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Remarque: hFE 350...700. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: NPN. Spec info: 0501-000394

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 150mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Brochage: 1. C (in): 1.5pF. C (out): 11pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSA733. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 150mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Brochage: 1. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSA733. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 35pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 150. Marquage sur le boîtier: D2012-G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSB1366. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 5A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C (out): 20pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V. Spec info: Rbe 50 Ohms

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C (out): 500pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 6V. Spec info: 0.1...0.3us

Transistor NPN, 5A, 100V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (out): 500pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Dissipation de puissance maxi: 30W. Type de transistor: NPN. Spec info: 12149-401-070

Transistor NPN, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. C (out): 500pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Dissipation de puissance maxi: 10W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Spec info: SD882-Y

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 180pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: 'High Voltage Switch Mode'. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 24A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. Spec info: Commutation à haute vitesse. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 4A, 60V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: b>750. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: NPN. Spec info: 0503-000001

Transistor NPN, 600mA, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 600mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 8pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 285 ns. Tf(min): 35 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SW. Marquage sur le boîtier: R1002. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 22k Ohms. Résistance BE: 22k Ohms. C (out): 100pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: SW. Marquage sur le boîtier: R1003. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Vcbo: 50V. Vebo: 10V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SW. Marquage sur le boîtier: R1007. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.1A, 40V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S. Type de transistor: NPN. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.1A, 40V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S. Type de transistor: NPN. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.1A, 40V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S. Remarque: 0.3W. Type de transistor: NPN. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, TO-92, TO-92. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. C (out): 0.8pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 20mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. C (out): 3.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 800 MHz. Fonction: FM-V/M/O. Gain hFE maxi: 198. Gain hFE mini: 40. Marquage sur le boîtier: 15.8k Ohms. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 3A, 80V. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: hFE 20...90. Remarque: T32. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 0.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 11 MHz. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 210V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 10A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C (out): 1pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor haute tension pour CRT à définition standard. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 5.5. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 57W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 10A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C (out): 0.55pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor haute tension pour CRT à définition standard. Gain hFE maxi: 7.5. Gain hFE mini: 5.5. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 57W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Vebo: 10V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non