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Transistor NPN, 8A, TO-220, 150V, TO-220AB, 150V - MJE15030G

Transistor NPN, 8A, TO-220, 150V, TO-220AB, 150V - MJE15030G
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Transistor NPN, 8A, TO-220, 150V, TO-220AB, 150V - MJE15030G. Transistor NPN, 8A, TO-220, 150V, TO-220AB, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 150V. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031G. Quantité en stock actualisée le 25/04/2025, 20:25.

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Transistor NPN, TO-220, 8A, 250V, 8A, TO-220AB, 250V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Marquage du fabricant: MJE15032G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 30 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15033
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