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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor 2SC5200

Transistor 2SC5200
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2 - 2 6.33fr 6.84fr
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5 - 9 5.66fr 6.12fr
10 - 19 5.53fr 5.98fr
20 - 29 5.39fr 5.83fr
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Transistor 2SC5200. Transistor. C (out): 200pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Courant de collecteur: 15A. Marquage sur le boîtier: C5200 (Q). Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F1A ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1943. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 16:25.

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MJL21194

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Transistor. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz....
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Transistor. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO–3PBL. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL21193. Diode BE: non. Diode CE: non
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Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Courant de collecteur: 17A. Marquage sur le boîtier: J4315O. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) FJL4215-O
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Transistor. C (out): 200pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quant...
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Transistor. C (out): 200pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HI-FI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 15A. Marquage sur le boîtier: C5242. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 130W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1A. Type de transistor: NPN. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1962. Diode BE: non. Diode CE: non
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