Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.69fr | 0.75fr |
5 - 9 | 0.66fr | 0.71fr |
10 - 24 | 0.62fr | 0.67fr |
25 - 49 | 0.59fr | 0.64fr |
50 - 83 | 0.57fr | 0.62fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.69fr | 0.75fr |
5 - 9 | 0.66fr | 0.71fr |
10 - 24 | 0.62fr | 0.67fr |
25 - 49 | 0.59fr | 0.64fr |
50 - 83 | 0.57fr | 0.62fr |
Transistor 2SC2240GR. Transistor. C (out): 3pF. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 0.1A. Marquage sur le boîtier: C224GR. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA970GR. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 22:25.
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