Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Diode BE: non. C (out): 0.55pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor haute tension pour CRT à définition standard. Gain hFE maxi: 7.5. Gain hFE mini: 5.5. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 57W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): TO-218-FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. C (out): 4pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: FAST-SWITCH. Gain hFE maxi: 7. Gain hFE mini: 4.5. Ic(puls): 18A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 58W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: FAST-SWITCH. Gain hFE maxi: 18. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 58W. RoHS: oui. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Courant de collecteur: 14A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Diode BE: non. C (out): 1.6pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 64kHz. Fonction: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Date de production: 2014/17. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 6. Ic(puls): 21A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 62W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO–204AE ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. C (out): 2.5pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 175W. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.6us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 650V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 8V

Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 400V. Courant de collecteur: 50A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO–204AE ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 4pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 25. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 60A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 250V. Courant de collecteur: 60A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO–204AE ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (out): 7pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 75...1000. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, TO3, 120V. Boîtier: TO3. Tension collecteur-émetteur VCEO: 120V. Type: transistor Darlington. Polarité: NPN. Puissance: 200W. Tension base / collecteur VCBO: 120V. Type de montage: Montage sur châssis. Bande passante MHz: 4MHz. Gain hFE min.: 200. Courant maximum 1: 30A. Série: MJ11016

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 30A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ11016G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Courant de collecteur: 50A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Gain hFE maxi: 18000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 100A. Dissipation de puissance maxi: 300W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ11033. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 50A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ11032G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor NPN, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V, 20A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Courant de collecteur: 20A. RoHS: oui. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15004. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: Transistor de puissance. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 25

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Résistance BE: 70. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.8 MHz. Dissipation de puissance maxi: 180W. Spec info: Motorola. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Résistance BE: 70. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.8 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 10. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15016. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Dissipation de puissance maxi: 250W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15023. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 350V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15023. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (out): 1.6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15025. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 16A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ15024G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 16A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ21194G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204AA ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (out): 2pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ21195. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V

Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Courant de collecteur: 30A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. C (in): 30pF. C (out): 8.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 30A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ802G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 90V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J44H11. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 85 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J44H11. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 85 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 80pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Spec info: Commutation à haute vitesse. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance bipolaire. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 9V