Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, TO-247, 15A, TO-247, 450V, 1000V, 15A. Boîtier: TO-247. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1000V. Courant de collecteur: 15A. RoHS: oui. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUV48A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 8. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 7V. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Applications: commutation. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)

Transistor NPN, 5A, 400V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Quantité par boîtier: 1. Diode CE: oui

Transistor NPN, 5A, TO-3PN, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: haute tension, commutation rapide. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 5A, 400V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 32W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 450V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 20A. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 10A, 400V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 32W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 15A, TO-3PN, 400V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 175W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUX48A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Dissipation maximale Ptot [W]: 175W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor NPN, 2A, 400V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Fonction: S. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 450V. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 2A, TO-220, 450V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUX85G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, TO-126, 450V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Résistance B: Transistor de puissance. Diode BE: NPN. Résistance BE: commutation. C (in): 1000V. C (out): 0.5A. Diode CE: 40W. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): SOT-82. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUX87P. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 25 MHz. Fonction: S-L. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 15A. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 2A, 800V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 2200V. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 10A, 200V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 280V. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 400V, 8A, TO-220AB (MJE13007). Tension collecteur-émetteur VCEO: 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220AB (MJE13007). Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Puissance: 80W. Fréquence maxi: 4MHz

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 80V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 130pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: D44H11. Equivalences: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tf(max): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) D45H11. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: D44H11G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 10A, TO-220, TO-220, 60V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. RoHS: non. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: D44H8. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Type de transistor: NPN. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: D44H8G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220AC, 80V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: S-L, Low-sat. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 83W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 90 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) D45VH10. Diode CE: oui

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59, 50V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SC-59. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 10k Ohms. Résistance BE: 10k Ohms. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: DTR.. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 24. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Puissance: 0.2W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Spec info: sérigraphie/code CMS 24. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 4.7k Ohms. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Transistor avec résistance de polarisation intégrée. Gain hFE mini: 200. Remarque: sérigraphie/code CMS 33. Marquage sur le boîtier: *33, P33, t33, w33. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Date de production: 2014/49. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 18. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 0.03A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Courant de collecteur: 0.03A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 47k Ohms. Résistance BE: 47k Ohms. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Marquage sur le boîtier: 26. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Spec info: sérigraphie/code CMS 26. Diode BE: non. Diode CE: non