Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 13.5. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 10A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 36W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 150 ns. Tf(min): 80 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SMPS S-L. Ic(puls): 10A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.1V. Vebo: 9V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: commutation rapide

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 450V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation rapide pour alimentation à découpage. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 8A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 50 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Tension de saturation VCE(sat): 0.13V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFMS 8A, tp <5 ms

Transistor NPN, 7A, 450V. Courant de collecteur: 7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SMPS S-L. Dissipation de puissance maxi: 75W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: commutation rapide

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220AB CASE 221A-09. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 50pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 12 MHz. Fonction: SMPS S-L. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 14. Ic(puls): 10A. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Vebo: 9V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: commutation rapide. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUL45D2G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 13 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220AB CASE 221A-09. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 50pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 13 MHz. Fonction: Transistor de puissance NPN bipolaire à gain élevé et à grande vitesse. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 22. Ic(puls): 10A. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 0.28V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Vebo: 12V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, 4A, 500V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SMPS S-L. Dissipation de puissance maxi: 65W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: haute vitesse. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 1.2A, TO-126F, TO-126F, 400V. Courant de collecteur: 1.2A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 5. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 600V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 200V, 70A, TO-3. Tension collecteur-émetteur VCEO: 200V. Courant de collecteur: 70A. Boîtier: TO-3. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 350W

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 10A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 83W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 4us. Tf(min): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F ( SOT186A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 10A. Dissipation de puissance maxi: 32W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance. Tf(max): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 32W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Tf 170ns

Transistor NPN, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Dissipation de puissance maxi: 23W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 450V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Dissipation de puissance maxi: 110W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 12A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 33W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: haute tension, haute vitesse

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 33W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 450V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 4A, 350V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 9 MHz. Fonction: S-L, SN. Dissipation de puissance maxi: 55W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Diode CE: oui

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 50A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50A. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUV20. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 125V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 8 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor NPN, 20A, TO-220, TO-220 CASE 221A, 190V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 CASE 221A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 190V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Conçu pour les applications à grande vitesse. Ic(puls): 30A. Dissipation de puissance maxi: 85W. RoHS: oui. Tf(max): 150 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vebo: 7V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Ic(puls): 20A. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 120ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 7V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 15A, 150V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 85W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Quantité par boîtier: 1