Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, ITO-218, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-218. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: non. Boîtier (norme JEDEC): SOT-199. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BU508AF. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 700V. Dissipation maximale Ptot [W]: 34W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, 700V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 34W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 1500V, 8A, TO-247. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1500V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-247. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Applications: commutation. Puissance: 125W

Transistor NPN, 8A, 700V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 34W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, ISOWATT-218, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ISOWATT-218. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: non. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BU508DFI. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 700V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 7 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, 480V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 480V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-SN. Dissipation de puissance maxi: 62W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 330V/200V. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 330V/ 200V. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220FH, 700V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FH. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 42W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: TO-220FH

Transistor NPN, 8A, ISOWATT218FX, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Résistance BE: 42 Ohms. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 230. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 10A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 62W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms)

Transistor NPN, 8A, ISOWATT218, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Résistance BE: 260 Ohms. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Ic(puls): 10A. Dissipation de puissance maxi: 62W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Fonction: hFE 60...230, boîtier plastique isolé. Spec info: temps de descente 0.8us

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BU941ZP. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 350V. Dissipation maximale Ptot [W]: 155W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor NPN, 15A, 400V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 65W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Remarque: >300. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: temps de descente 625ns. Gain hFE maxi: 3400. Gain hFE mini: 500. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 360-450V Clamping

Transistor NPN, 0.5A, D-PAK ( TO-252 ), 450V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: HV-POWER

Transistor NPN, 30A, TO-247, TO-247, 450V. Courant de collecteur: 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Ic(puls): 60A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'High Voltage Multi Epitaxial Planar technology'. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.05us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Vebo: 7V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Transistor de puissance à commutation rapide haute tension

Transistor NPN, 14A, ISOWATT218FX, TO-218-ISO, 700V. Courant de collecteur: 14A. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): TO-218-ISO. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 14. Gain hFE mini: 7. Ic(puls): 18A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 220 ns. Tf(min): 110 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hi-res, monitor 19. Spec info: Icmax--18A <5mS

Transistor NPN, 16A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218 ( SOT93 ), 700V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218 ( SOT93 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Transistor à commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 14. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 22A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 210 ns. Tf(min): 110 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Icm.22A <5ms

Transistor NPN, 5A, 700V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 5A, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 700V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'Hi-res'. Gain hFE maxi: 9. Gain hFE mini: 2.5. Ic(puls): 12A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 44W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 200 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 8A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: ISOWATT218. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Gain hFE maxi: 6. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 15A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Tf (type): 190 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 10A, 700V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Dissipation de puissance maxi: 57W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Remarque: MONITOR. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ts 2.1/3.1us

Transistor NPN, 4A, 400V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 32. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 8A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Tf (type): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: haute tension, commutation rapide. Spec info: TO-220. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 6A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Fonction: commutation rapide haute tension, pour alimentations à découpage. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 500V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 14. Gain hFE mini: 6. Ic(puls): 10A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 150us. Tf(min): 80us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide pour alimentations à découpage