Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 8A, TO-220FP, TO-220F, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 7. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 13.5V

Transistor NPN, 8A, 150V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 330V

Transistor NPN, 5A, 700V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 125W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 12A, 350V. Courant de collecteur: 12A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 85W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V

Transistor NPN, 5A, 700V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 8A, 700V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: (F). Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: 33 Ohms

Transistor NPN, 9A, TO-247, TO-247FP, 800V. Courant de collecteur: 9A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 9A, TO-3PF ( SOT399 ), 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 9A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF ( SOT399 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: VCE(sat) 5.0V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: convient pour l'alimentation des téléviseurs SONY

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 13. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 25A. Remarque: Tension d'isolation 2500V. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Fonction: commutation haute tension et haute vitesse. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit)

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 25A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.22us. Tf(min): 0.16us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR. Fonction: TV-HA, hi-res (F)

Transistor NPN, 10A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 64kHz. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 25A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance au silicium. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Nombre de connexions: 3. Fonction: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 12A, SOT-199, SOT-199, 800V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA Hi-re. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: (F)

Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 800V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA Hi-re. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 12A, TO-3P(H)IS, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 12A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P(H)IS. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C (out): 145pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA Hi-re. Ic(puls): 30A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.35us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.1V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, 12A, SOT-199, 800V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT-HA hi-re. Dissipation de puissance maxi: 45W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: SOT199 (F)

Transistor NPN, 12A, 800V. Courant de collecteur: 12A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT-HA hi-re. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: SOT399 (F)

Transistor NPN, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 12A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT-HA hi-re (F). Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 12A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT-HA hi-re (F). Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 16A, 800V. Courant de collecteur: 16A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: moniteur. Dissipation de puissance maxi: 125W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 1.4...1.8us

Transistor NPN, 8A, 825V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 825V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 45W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ts 4.8us, Tf 0.4us