Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 1.01fr | 1.09fr |
2 - 2 | 0.96fr | 1.04fr |
3 - 4 | 0.91fr | 0.98fr |
5 - 9 | 0.86fr | 0.93fr |
10 - 24 | 0.81fr | 0.88fr |
25 - 49 | 0.76fr | 0.82fr |
50 - 231 | 0.71fr | 0.77fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 1.01fr | 1.09fr |
2 - 2 | 0.96fr | 1.04fr |
3 - 4 | 0.91fr | 0.98fr |
5 - 9 | 0.86fr | 0.93fr |
10 - 24 | 0.81fr | 0.88fr |
25 - 49 | 0.76fr | 0.82fr |
50 - 231 | 0.71fr | 0.77fr |
Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - DTC143ZT. Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Date de production: 2014/49. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 18. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Vebo: 10V. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 12:25.
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